ZnSe หรือ Zinc Selenide เป็นสารกึ่งตัวนำแบบ II-VI ซึ่งถูกใช้ในอุตสาหกรรมเทคโนโลยีต่างๆ มาอย่างยาวนาน และกำลังได้รับความสนใจเพิ่มขึ้นเนื่องจากคุณสมบัติพิเศษของมัน เหมาะสำหรับการใช้งานในอุปกรณ์ optoelectronics ต่างๆ เช่น เลเซอร์, LED, และเซ็นเซอร์
สมบัติที่โดดเด่นของ ZnSe
ZnSe มีแถบพลังงานกว้าง (bandgap) ประมาณ 2.7 eV ซึ่งทำให้เหมาะสำหรับการสร้างอุปกรณ์ photonic ที่ปล่อยแสงในช่วงใยแก้วนำแสง (optical fiber communication)
นอกจากนี้ ZnSe ยังมีคุณสมบัติที่น่าสนใจอีกหลายประการ:
- ความโปร่งใสสูง: ZnSe โปร่งใสต่อแสงในช่วง Rayleigh scattering และทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานในอุปกรณ์ optics ที่ต้องการความโปร่งใสสูง
- สัมประสิทธิ์การหักเหของแสงสูง: ZnSe มีสัมประสิทธิ์การหักเหของแสงที่สูงกว่าสารกึ่งตัวนำอื่นๆ ทำให้สามารถขยายลำแสงได้อย่างมีประสิทธิภาพ
- ความทนทานทางอุณหภูมิ: ZnSe สามารถทนต่ออุณหภูมิสูงได้ดี ซึ่งทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานในสภาพแวดล้อมที่รุนแรง
ZnSe ใน อุปกรณ์ optoelectronics
ZnSe ได้รับการนำมาใช้ในอุปกรณ์ optoelectronic ต่างๆ เช่น:
- เลเซอร์: ZnSe ถูกใช้เป็นวัสดุ gain medium ในเลเซอร์ blue-green
- LED: ZnSe สามารถใช้เป็นสารกึ่งตัวนำ active layer ใน LED ที่ปล่อยแสงสีน้ำเงินและสีเขียว
- เซ็นเซอร์: ZnSe สามารถใช้เป็น photodetector ในอุปกรณ์เซ็นเซอร์ที่ตรวจจับแสง UV
การผลิต ZnSe
ZnSe ถูกผลิตโดยใช้วิธีการต่างๆ เช่น:
- เทคนิค Bridgman: วิธีนี้เกี่ยวข้องกับการหลอมโลหะ Zinc (Zn) และ Selenium (Se) ใน crucible และให้ความร้อนที่สูงเพื่อสร้างสารละลายของ ZnSe จากนั้นเย็นลงอย่างช้าๆ เพื่อทำให้เกิดผลึก ZnSe
- เทคนิค CVD (Chemical Vapor Deposition): วิธีนี้เกี่ยวข้องกับการส่งผ่านก๊าซ Zn และ Se ไปบน substrat ที่อุณหภูมิสูง ซึ่งจะทำให้เกิดปฏิกริยาเคมีและสะสม ZnSe บน substrat
ZnSe เป็นสารกึ่งตัวนำที่มีศักยภาพสูงสำหรับการใช้งานในอุปกรณ์ optoelectronics
คุณสมบัติที่โดดเด่นของ ZnSe เช่น แถบพลังงานกว้าง, ความโปร่งใสสูง, และสัมประสิทธิ์การหักเหของแสงที่สูง ทำให้ ZnSe เป็นวัสดุที่น่าสนใจสำหรับการพัฒนานวัตกรรมในอุตสาหกรรม optoelectronics
ตารางแสดงคุณสมบัติทางกายภาพของ ZnSe:
คุณสมบัติ | ค่า |
---|---|
แถบพลังงาน (eV) | 2.7 |
ความหนาแน่น (g/cm³) | 5.4 |
จุดหลอมเหลว (°C) | 1,530 |
สัมประสิทธิ์การหักเหของแสง | 2.6 |
ZnSe ยังคงเป็นสารกึ่งตัวนำที่น่าติดตามในอนาคต เนื่องจากศักยภาพในการพัฒนาอุปกรณ์ optoelectronics ที่มีประสิทธิภาพสูงขึ้น